Intel und Micron präsentieren neuartige Speichertechnik
Die 3D XPoint genannte Speichertechnik von Intel und Micron soll 1000 Mal schneller sein als Flash-Speicher.
Intel hat zusammen mit Micron eine neuartige Speichertechnik entwickelt: 3D XPoint (gesprochen: «Crosspoint») soll die Geschwindigkeit von DRAM (Dynamic Random Access Memory) bieten, aber im Unterschied zum bekannten Zwischenspeicher lassen sich die Informationen auch ohne Stromzufuhr speichern. Schlussendlich haben die 3D-XPoint-Speicher ähnliche Eigenschaften wie Nand-Flash-Speicher, sind aber 1000 Mal schneller und genauso langlebiger, wie Intel und Micron vorrechnen. Und so ist 3D XPoint aufgebaut: Wie der Name andeutet, bestehen die Speicher aus einer dreidimensionalen Struktur mit Schichten von Drähten. Auf jeder Schicht sind die Drähte parallel zueinander angeordnet, wobei die Richtung von Schicht zu Schicht jeweils um 90 Grad ändert. Zwischen jeder Schicht verlaufen vertikale Säulen, welche durch die Drähte verbunden sind.
Jede dieser Säulen enthält einerseits eine Speicherzelle, die ein Bit an Daten speichern kann, andererseits einen Selektor, über den die Speicherzelle angesprochen wird. Durch die Änderung des Stromflusses an den Selector werden schlussendlich die Einsen und Nullen in die Speicherzellen geschrieben. Dieses Prinzip benötigt somit keine Transistoren, um Informationen zu speichern, was die Kapazität erhöht und die Kosten senkt. Die ersten 3D-XPoint-Speicher werden zwei Säulenschichten aufweisen mit einer Kapazität von 128 Gigabyte pro Die und noch im Laufe des Jahres gebaut werden. Die Speicherschichten sollen sich nach Herstellerangaben stapeln lassen, so dass die Technik skalierbar ist und in Zukunft Speicher mit höheren Kapazitäten erwartet werden können.
