Intel setzt auf 65-Nanometertechnik

Im Frühjahr hat Intel auf dem Entwickler-Forum den ersten in 65-Nanometertechnik gefertigten 300-Millimeter-Wafer mit SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) gezeigt. Nun rückt sie mit weiteren Details heraus. So sollen sich gegenüber der 90-Nanometertechnik die Schaltfrequenzen um 40 Prozent erhöhen. Die Leckverluste können bei gleicher Leistung um den Faktor vier gesenkt werden. Ausserdem lassen sich nun mit dem 65-Nanometerprozess fast doppelt so viele Transistoren auf die gleiche Fläche pferchen wie bei 90 Nanometern.

Mit der Produktion von 65-Nanometer-Chips will Intel in den Werken in Oregon, Arizona und Irland im nächsten Jahr starten.