09.06.2005, 12:45 Uhr
90-nm-DRAM aus Dresden
Die deutsche Chipbauerin Infineon hat in ihrem Halbleiterwerk in Dresden mit der Serienfertigung von DRAM-Komponenten mit 90-Nanometer-Prozessstrukturen auf 300-mm-Wafern begonnen.
Die 90-nm-Technik hat sie gemeinsam mit Nanya Technologies entwickelt, mit der sie das taiwanische Joint-Venture Inotera Memories bildet.
